NTD80N02-1G
NTD80N02-1G
部品型番:
NTD80N02-1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
68891 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
NTD80N02-1G.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I-PAK
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):5.8 mOhm @ 80A, 10V
電力消費(最大):75W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
他の名前:NTD80N02-1GOS
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2600pF @ 20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:42nC @ 4.5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:24V
詳細な説明:N-Channel 24V 80A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):80A (Tc)
Email:[email protected]

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