NSBC115TDP6T5G
NSBC115TDP6T5G
部品型番:
NSBC115TDP6T5G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
84961 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
NSBC115TDP6T5G.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 5mA, 10mA
トランジスタ型式:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-963
シリーズ:-
抵抗器ベース(R2):-
抵抗器 - ベース(R1):100 kOhms
電力 - 最大:339mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-963
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:-
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):160 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
ベース部品番号:NSBC1*
Email:[email protected]

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