NJVMJD117T4G
NJVMJD117T4G
部品型番:
NJVMJD117T4G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
65953 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
NJVMJD117T4G.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100V
IB、IC @ Vce飽和(最大):3V @ 40mA, 4A
トランジスタ型式:PNP - Darlington
サプライヤデバイスパッケージ:DPAK
シリーズ:-
電力 - 最大:1.75W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:7 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:25MHz
詳細な説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):1000 @ 2A, 3V
電流 - コレクタ遮断(最大):20µA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):2A
ベース部品番号:MJD117
Email:[email protected]

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