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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 1.7 V ~ 1.9 V |
技術: | DRAM |
サプライヤデバイスパッケージ: | 144-µBGA (18.5x11) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | 144-TFBGA |
運転温度: | 0°C ~ 95°C (TC) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 576Mb (64M x 9) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 20ns 144-µBGA (18.5x11) |
クロック周波数: | 400MHz |
ベース部品番号: | MT49H64M9 |
アクセス時間: | 20ns |
Email: | [email protected] |