MMUN2141LT1G
MMUN2141LT1G
部品型番:
MMUN2141LT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
48385 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
MMUN2141LT1G.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式:PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-23 (TO-236AB)
シリーズ:-
抵抗器 - ベース(R1):100 kOhms
電力 - 最大:246mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:36 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):160 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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