MJD253T4G
MJD253T4G
部品型番:
MJD253T4G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PNP 100V 4A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
58763 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
MJD253T4G.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100V
IB、IC @ Vce飽和(最大):600mV @ 100mA, 1A
トランジスタ型式:PNP
サプライヤデバイスパッケージ:DPAK
シリーズ:-
電力 - 最大:1.4W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:MJD253T4GOS
MJD253T4GOS-ND
MJD253T4GOSTR
運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:6 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:40MHz
詳細な説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.4W Surface Mount DPAK
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):40 @ 200mA, 1V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):4A
ベース部品番号:MJD253
Email:[email protected]

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