MG1275S-BA1MM最高の価格と速い配達。
BOSER Technology MG1275S-BA1MMのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にMG1275S-BA1MMのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
MG1275S-BA1MM
- 部品型番:
- MG1275S-BA1MM
- メーカー:
- Hamlin / Littelfuse
- 説明:
- IGBT 1200V 105A 630W PKG S
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 65355 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- MG1275S-BA1MM.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 1200V |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大）: | 1.8V @ 15V, 75A (Typ) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | S3 |
| シリーズ: | - |
| 電力 - 最大: | 630W |
| パッケージ/ケース: | S-3 Module |
| 他の名前: | F6495 |
| 運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTCサーミスタ: | No |
| 装着タイプ: | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（量Cies）@ Vceは: | 5.52nF @ 25V |
| 入力: | Standard |
| IGBTタイプ: | - |
| 詳細な説明: | IGBT Module Half Bridge 1200V 105A 630W Chassis Mount S3 |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 500µA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 105A |
| コンフィギュレーション: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのMG1275S-BA1MM
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く