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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 50mA, 1A |
トランジスタ型式: | PNP |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 750mW |
パッケージング: | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 120MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 1A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 135 @ 100mA, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 1A |
ベース部品番号: | KSB1116 |
Email: | [email protected] |