JANTXV1N6312US最高の価格と速い配達。
BOSER Technology JANTXV1N6312USのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にJANTXV1N6312USのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
JANTXV1N6312US
- 部品型番:
- JANTXV1N6312US
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- リード/ RoHS非対応
- 数量:
- 44330 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- JANTXV1N6312US.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - ツェナー（公称値）（Vzは）: | 3.3V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1.4V @ 1A |
| 公差: | ±5% |
| サプライヤデバイスパッケージ: | DO-35 |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/533 |
| 電力 - 最大: | 500mW |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 他の名前: | 1086-15929 1086-15929-MIL |
| 運転温度: | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| インピーダンス（最大）（ZZT）: | 27 Ohms |
| 詳細な説明: | Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 5µA @ 1V |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのJANTXV1N6312US
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く