JANS2N3637最高の価格と速い配達。
BOSER Technology JANS2N3637のディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にJANS2N3637のあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
JANS2N3637
- 部品型番:
- JANS2N3637
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- TRANS PNP 175V 1A TO-39
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- リード/ RoHS非対応
- 数量:
- 52156 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- JANS2N3637.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 175V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 600mV @ 5mA, 50mA |
| トランジスタ型式: | PNP |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-39 |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| 電力 - 最大: | 1W |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 他の名前: | 1086-15161 1086-15161-MIL |
| 運転温度: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 33 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 周波数 - トランジション: | - |
| 詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 100 @ 50mA, 10V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 10µA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 1A |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのJANS2N3637
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く