IXTP06N120P最高の価格と速い配達。
BOSER Technology IXTP06N120Pのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にIXTP06N120Pのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
IXTP06N120P
- 部品型番:
- IXTP06N120P
- メーカー:
- IXYS Corporation
- 説明:
- MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 60062 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- IXTP06N120P.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.5V @ 50µA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220AB |
| シリーズ: | PolarVHV™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 32 Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大）: | 42W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 270pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 13.3nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 1200V |
| 詳細な説明: | N-Channel 1200V 600mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 600mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのIXTP06N120P
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く