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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 55µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO262-3 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 9.1 mOhm @ 39A, 10V |
電力消費(最大): | 107W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前: | IPI77N06S3-09-ND IPI77N06S3-09IN IPI77N06S309X IPI77N06S309XK SP000088716 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 5335pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 103nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 55V |
詳細な説明: | N-Channel 55V 77A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 77A (Tc) |
Email: | [email protected] |