IMB10AT110
IMB10AT110
部品型番:
IMB10AT110
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
76488 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.IMB10AT110.pdf2.IMB10AT110.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:SMT6
シリーズ:-
抵抗器ベース(R2):47 kOhms
抵抗器 - ベース(R1):2.2 kOhms
電力 - 最大:300mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-74, SOT-457
他の名前:IMB10AT110TR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:250MHz
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
ベース部品番号:MB10
Email:[email protected]

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