IKW30N65EL5XKSA1最高の価格と速い配達。
BOSER Technology IKW30N65EL5XKSA1のディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にIKW30N65EL5XKSA1のあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
IKW30N65EL5XKSA1
- 部品型番:
- IKW30N65EL5XKSA1
- 説明:
- IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 75681 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- IKW30N65EL5XKSA1.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 650V |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大）: | 1.35V @ 15V, 30A |
| 試験条件: | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| Td（オン/オフ）@ 25℃: | 33ns/308ns |
| エネルギーの切り替え: | 470µJ (on), 1.35mJ (off) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO247-3 |
| シリーズ: | TrenchStop™ 5 |
| 逆回復時間（trrの）: | 100ns |
| 電力 - 最大: | 227W |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| 他の名前: | IKW30N65EL5XKSA1IN SP001178080 |
| 運転温度: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力タイプ: | Standard |
| IGBTタイプ: | - |
| ゲートチャージ: | 168nC |
| 詳細な説明: | IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3 |
| 電流 - コレクタパルス（ICM）: | 120A |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 85A |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのIKW30N65EL5XKSA1
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く