GA10SICP12-263
GA10SICP12-263
部品型番:
GA10SICP12-263
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
48595 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
GA10SICP12-263.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):-
Vgs(最大):-
技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤデバイスパッケージ:D2PAK (7-Lead)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):100 mOhm @ 10A
電力消費(最大):170W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
他の名前:1242-1318
GA10SICP12-263-ND
運転温度:175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1403pF @ 800V
FETタイプ:-
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V
詳細な説明:1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):25A (Tc)
Email:[email protected]

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