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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
電圧 - テスト: | 230pF @ 25V |
電圧 - ブレークダウン: | D-Pak |
同上@ VGS(TH)(最大): | 800 mOhm @ 2.15A, 10V |
Vgs(最大): | 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | QFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4.3A (Tc) |
偏光: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | FQD5N15TM-ND FQD5N15TMTR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
製造元の部品番号: | FQD5N15TM |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 7nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 4V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 150V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 150V |
静電容量比: | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
Email: | [email protected] |