FDN360P
部品型番:
FDN360P
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
79159 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.FDN360P.pdf2.FDN360P.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SuperSOT-3
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):80 mOhm @ 2A, 10V
電力消費(最大):500mW (Ta)
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:FDN360P_F095CT
FDN360P_F095CT-ND
FDN360PCT
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:42 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:298pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:9nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:P-Channel 30V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):2A (Ta)
Email:[email protected]

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