FDMC4435BZ-F126
FDMC4435BZ-F126
部品型番:
FDMC4435BZ-F126
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 30V 8.5A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
58634 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
FDMC4435BZ-F126.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-MLP (3.3x3.3)
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):20 mOhm @ 8.5A, 10V
電力消費(最大):2.3W (Ta), 31W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerWDFN
他の名前:FDMC4435BZ-F126TR
FDMC4435BZ_F126
FDMC4435BZ_F126TR
FDMC4435BZ_F126TR-ND
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:39 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2045pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:46nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:P-Channel 30V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):8.5A (Ta), 18A (Tc)
Email:[email protected]

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