FDI047AN08A0
部品型番:
FDI047AN08A0
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
90408 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
FDI047AN08A0.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I2PAK (TO-262)
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4.7 mOhm @ 80A, 10V
電力消費(最大):310W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:6600pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:138nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:75V
詳細な説明:N-Channel 75V 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):80A (Tc)
Email:[email protected]

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