FDB86102LZ
FDB86102LZ
部品型番:
FDB86102LZ
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
53728 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
FDB86102LZ.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-263AB
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):24 mOhm @ 8.3A, 10V
電力消費(最大):3.1W (Ta)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:FDB86102LZDKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:39 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1275pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:21nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
詳細な説明:N-Channel 100V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):8.3A (Ta), 30A (Tc)
Email:[email protected]

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