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EPC8010
- 部品型番:
- EPC8010
- メーカー:
- EPC
- 説明:
- TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 67542 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- 1.EPC8010.pdf2.EPC8010.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | +6V, -4V |
| 技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | Die |
| シリーズ: | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| 電力消費（最大）: | - |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | Die |
| 他の名前: | 917-1086-1 |
| 運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 55pF @ 50V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 0.48nC @ 5V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 詳細な説明: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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