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EMF22T2R
- 部品型番:
- EMF22T2R
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 71239 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- EMF22T2R.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 50V, 12V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| トランジスタ型式: | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| サプライヤデバイスパッケージ: | EMT6 |
| シリーズ: | - |
| 抵抗器ベース（R2）: | 10 kOhms |
| 抵抗器 - ベース（R1）: | 10 kOhms |
| 電力 - 最大: | 150mW |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション: | 250MHz, 320MHz |
| 詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 500nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
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