EGF1AHE3_A/I最高の価格と速い配達。
BOSER Technology EGF1AHE3_A/Iのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にEGF1AHE3_A/Iのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
EGF1AHE3_A/I
- 部品型番:
- EGF1AHE3_A/I
- 説明:
- DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 35474 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- EGF1AHE3_A/I.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1V @ 1A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 50V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | DO-214BA (GF1) |
| 速度: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| 逆回復時間（trrの）: | 50ns |
| パッケージ/ケース: | DO-214BA |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| メーカーの標準リードタイム: | 52 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 詳細な説明: | Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-214BA (GF1) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 5µA @ 50V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 1A |
| Vrと、F @キャパシタンス: | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのEGF1AHE3_A/I
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く