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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.1V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerDI5060-8 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大): | 2.6W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-PowerTDFN |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
メーカーの標準リードタイム: | 36 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 6807pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 139nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
詳細な説明: | P-Channel 30V 60A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |