BUK9E4R9-60E,127
BUK9E4R9-60E,127
部品型番:
BUK9E4R9-60E,127
メーカー:
NXP Semiconductors / Freescale
説明:
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
48742 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
BUK9E4R9-60E,127.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):2.1V @ 1mA
Vgs(最大):±10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I2PAK
シリーズ:TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4.5 mOhm @ 25A, 10V
電力消費(最大):234W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前:568-9876-5
934066657127
BUK9E4R960E127
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:9710pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:65nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
詳細な説明:N-Channel 60V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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