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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3V @ 1mA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 6.4 Ohm @ 250mA, 10V |
電力消費(最大): | 350mW (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 60pF @ 25V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
詳細な説明: | N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 250mA (Ta) |
Email: | [email protected] |