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AOI11S60
- 部品型番:
- AOI11S60
- 説明:
- MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 71325 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- 1.AOI11S60.pdf2.AOI11S60.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.1V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-251A |
| シリーズ: | aMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 399 mOhm @ 3.8A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 208W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 545pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 11nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 600V |
| 詳細な説明: | N-Channel 600V 11A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-251A |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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