1N5811TR最高の価格と速い配達。
BOSER Technology 1N5811TRのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達に1N5811TRのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
1N5811TR
- 部品型番:
- 1N5811TR
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 37208 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- 1N5811TR.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 875mV @ 4A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 150V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | - |
| 速度: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ: | - |
| 逆回復時間（trrの）: | 30ns |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | B, Axial |
| 他の名前: | 1N5811CT 1N5811CT-ND 1N5811E3CT 1N5811E3CT-ND 1N5811TRCT |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 詳細な説明: | Diode Standard 150V 6A Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 5µA @ 150V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 6A |
| Vrと、F @キャパシタンス: | - |
| ベース部品番号: | 1N5811 |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルの1N5811TR
| 絵 | 部品型番 | メーカー | 説明 | ビュー |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5809 | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | オンラインお問い合わせ |
|
1N5809US.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A | オンラインお問い合わせ |
|
1N5807US | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 6A | オンラインお問い合わせ |
 |
1N5811C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | オンラインお問い合わせ |
 |
1N5813R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | オンラインお問い合わせ |
|
1N5812R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | オンラインお問い合わせ |
|
1N5811US | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A | オンラインお問い合わせ |
|
1N5808 | Microsemi | DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG | オンラインお問い合わせ |
|
1N5811 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | オンラインお問い合わせ |
 |
1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | オンラインお問い合わせ |
|
1N5815R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | オンラインお問い合わせ |
 |
1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | オンラインお問い合わせ |
|
1N5809US | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A | オンラインお問い合わせ |
|
1N5814R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | オンラインお問い合わせ |
|
1N5813 | Microsemi | RECTIFIER DIODE | オンラインお問い合わせ |
 |
1N5814 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | オンラインお問い合わせ |
 |
1N5812 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | オンラインお問い合わせ |
|
1N5815 | Microsemi | RECTIFIER DIODE | オンラインお問い合わせ |
|
1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | オンラインお問い合わせ |
|
1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | オンラインお問い合わせ |
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く