| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| Potenza - Max: | 470W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Module |
| Altri nomi: | TPH3215M TPH3215M-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2260pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 8V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
