| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
| Paquete del dispositivo: | Module |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| Potencia - Max: | 470W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Module |
| Otros nombres: | TPH3215M TPH3215M-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2260pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 28nC @ 8V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
