STL17N65M5
STL17N65M5
Modello di prodotti:
STL17N65M5
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
80046 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
STL17N65M5.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerFlat™ (8x8) HV
Serie:MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs:374 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 70W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:497-15145-2
STL17N65M5-ND
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:816pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 1.8A (Ta), 10A (Tc) 2.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta), 10A (Tc)
Email:[email protected]

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