STL16N65M2
STL16N65M2
Modello di prodotti:
STL16N65M2
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
68863 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
STL16N65M2.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerFlat™ (5x6) HV
Serie:MDmesh™ M2
Rds On (max) a Id, Vgs:395 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):56W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:497-15259-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:718pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 7.5A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.5A (Tc)
Email:[email protected]

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