SSM6P36FE,LM
SSM6P36FE,LM
Modello di prodotti:
SSM6P36FE,LM
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
50177 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.SSM6P36FE,LM.pdf2.SSM6P36FE,LM.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:ES6 (1.6x1.6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:SSM6P36FE(TE85L,F)
SSM6P36FE(TE85LF)TR
SSM6P36FE(TE85LF)TR-ND
SSM6P36FE,LM(B
SSM6P36FE,LM(T
SSM6P36FELM(TTR
SSM6P36FELM(TTR-ND
SSM6P36FELMTR
SSM6P36FETE85LF
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:43pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.2nC @ 4V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:330mA
Numero di parte base:SSM6P36
Email:[email protected]

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