| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ES6 |
| Serie: | π-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150mW (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | SSM6P16FE(TE85LF)CT |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 11pF @ 3V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
