SIRA01DP-T1-GE3
SIRA01DP-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIRA01DP-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
61967 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SIRA01DP-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+16V, -20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET® Gen IV
Rds On (max) a Id, Vgs:4.9 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):5W (Ta), 62.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
Altri nomi:SIRA01DP-T1-GE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3490pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:112nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:P-Channel 30V 26A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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