SIRA00DP-T1-RE3
Modello di prodotti:
SIRA00DP-T1-RE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Quantità:
55922 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SIRA00DP-T1-RE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):104W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11700pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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