SI4830ADY-T1-E3
Modello di prodotti:
SI4830ADY-T1-E3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
72037 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI4830ADY-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:LITTLE FOOT®
Rds On (max) a Id, Vgs:22 mOhm @ 7.5A, 10V
Potenza - Max:1.1W
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SI4830ADY-T1-E3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.7A
Numero di parte base:SI4830
Email:[email protected]

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