SI4830ADY-T1-E3
Número de pieza:
SI4830ADY-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
72037 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI4830ADY-T1-E3.pdf

Introducción

SI4830ADY-T1-E3 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de SI4830ADY-T1-E3, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para SI4830ADY-T1-E3 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:LITTLE FOOT®
RDS (Max) @Id, Vgs:22 mOhm @ 7.5A, 10V
Potencia - Max:1.1W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4830ADY-T1-E3DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.7A
Número de pieza base:SI4830
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios