RYM002N05T2CL
RYM002N05T2CL
Modello di prodotti:
RYM002N05T2CL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
54239 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.RYM002N05T2CL.pdf2.RYM002N05T2CL.pdf3.RYM002N05T2CL.pdf4.RYM002N05T2CL.pdf5.RYM002N05T2CL.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:800mV @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:VMT3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):150mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SOT-723
Altri nomi:RYM002N05T2CLCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:26pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):0.9V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione dettagliata:N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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