RYM002N05T2CL
RYM002N05T2CL
Número de pieza:
RYM002N05T2CL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
54239 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.RYM002N05T2CL.pdf2.RYM002N05T2CL.pdf3.RYM002N05T2CL.pdf4.RYM002N05T2CL.pdf5.RYM002N05T2CL.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:800mV @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:VMT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):150mW (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:SOT-723
Otros nombres:RYM002N05T2CLCT
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:26pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):0.9V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción detallada:N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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