RN2112ACT(TPL3)
RN2112ACT(TPL3)
Modello di prodotti:
RN2112ACT(TPL3)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
68626 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RN2112ACT(TPL3).pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):80mA
Tensione - Ripartizione:CST3
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:50V
Serie:-
Stato RoHS:Tape & Reel (TR)
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):22k
Resistenza - Base (R1) (ohm):-
Potenza - Max:100mW
Polarizzazione:SC-101, SOT-883
Altri nomi:RN2112ACT(TPL3)TR
Di rumore (dB tip @ f):-
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RN2112ACT(TPL3)
Frequenza - transizione:120 @ 1mA, 5V
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Descrizione:TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100nA (ICBO)
Corrente - Cutoff collettore (max):150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - collettore (Ic) (max):PNP - Pre-Biased
Email:[email protected]

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