RN2114(TE85L,F)
RN2114(TE85L,F)
Modello di prodotti:
RN2114(TE85L,F)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
59014 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RN2114(TE85L,F).pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SSM
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):1 kOhms
Potenza - Max:100mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SC-75, SOT-416
Altri nomi:RN2114(TE85LF)CT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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