| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 55ns |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | SRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 52-TSOP II |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
| Altri nomi: | R1LV3216RSD-5SI#S0-ND R1LV3216RSD-5SI#S0TR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM Memory IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Parallel 55ns 52-TSOP II |
| Numero di parte base: | R1LV3216 |
| Tempo di accesso: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
