| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 55ns |
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | SRAM |
| Paquete del dispositivo: | 52-TSOP II |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
| Otros nombres: | R1LV3216RSD-5SI#S0-ND R1LV3216RSD-5SI#S0TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SRAM Memory IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Parallel 55ns 52-TSOP II |
| Número de pieza base: | R1LV3216 |
| Tiempo de acceso: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
