| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 405W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | 1727-1508 568-10988-5 568-10988-5-ND 934067856127 PSMN6R3-120ESQ-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 11384pF @ 60V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 207.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 120V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 120V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
