PSMN6R0-30YLDX
PSMN6R0-30YLDX
Modello di prodotti:
PSMN6R0-30YLDX
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
59796 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PSMN6R0-30YLDX.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LFPAK56, Power-SO8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:6 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):47W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Altri nomi:1727-1817-2
568-11433-2
568-11433-2-ND
934067797115
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:832pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 66A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
Numero di parte base:PSMN6R0
Email:[email protected]

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