| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DFN1010B-6 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms |
| Potenza - Max: | 230mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 1727-2715-2 568-13236-2 568-13236-2-ND 934069737147 PQMH11Z-ND |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 230MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 1µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
