| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| transistori tyyppi: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | DFN1010B-6 |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| Vastus - emitteripohja (R2): | 10 kOhms |
| Vastus - pohja (R1): | 10 kOhms |
| Virta - Max: | 230mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | 1727-2715-2 568-13236-2 568-13236-2-ND 934069737147 PQMH11Z-ND |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 230MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
