| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-666 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 850 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Potenza - Max: | 330mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | 1727-1334-2 568-10767-2 568-10767-2-ND 934065734115 PMDT670UPE,115-ND PMDT670UPE115 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 87pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.14nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 550mA 330mW Surface Mount SOT-666 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 550mA |
| Email: | [email protected] |
