PMDPB95XNE2X
PMDPB95XNE2X
Modello di prodotti:
PMDPB95XNE2X
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
78934 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PMDPB95XNE2X.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.25V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-HUSON-EP (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:99 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Potenza - Max:510mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-2691-1
568-13210-1
568-13210-1-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:258pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.7A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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